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CSD13383F4T

Active - MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR

제조업체:

Texas Instruments

MFR 부분 #

CSD13383F4T

범주:

트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

데이터 시트:

CSD13383F4T

설명:

MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR

CSD13383F4T 사양

제품 속성

속성 값

범주

트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

제조업체

Texas Instruments

시리즈

FemtoFET

포장

Tape & Reel (TR)

제품 상태

Active

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압(Vdss)

12 V

전류 - 연속 드레인(Id) @ 25℃

2.9A (Ta)

구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(최대) @ Id, Vgs

44mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th) (최대) @ Id

1.25V @ 250μA

게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs

2.6 nC @ 4.5 V

Vgs(최대)

?0V

입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds

291 pF @ 6 V

FET 기능

-

전력 손실(최대)

500mW (Ta)

작동 온도

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

실장 유형

Surface Mount

공급 장치 장치 패키지

3-PICOSTAR

패키지/케이스

3-XFDFN

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역사 가격

$0.90000

5.0 / 5.0

Thomas-Dieter Weber

Germany

2021-06-01 09:35

아주 좋아 나는 단지 추천 할 수 있습니다

Maria Eduarda Ferreira

Brazil

2021-04-17 07:13

매우 만족하고 좋은 판매자입니다.

Tânia Maria

Brazil

2021-07-09 20:10

아직 오디션은 아니지만 매우 빠릅니다.

Léonie Caron

France

2021-08-02 07:24

포장에 표시된 느낌이 잘 읽히지 않습니다 (혼동 가능). 그것 없이, 순응하라! 판매자 감사합니다!

Danuta Krawczyk

Poland

2021-08-12 12:06

IGBT 트랜지스터는 플러스 t7-h 옆에 testerach에 대한 SA를 감지하지 못했으며, E에 대한 -12V의 przelaczanie에 대한 tescie에 대한 zarowka 전원 12V의 경우 C에 대한 플러스와 함께 손가락을 트리거, zalancza 와 함께 wylancza. 아주 빠른 wysylka, 빠른 납품, 제품 좋은 jakosci, 아주 우리

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