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2SA1669-TB-E

Active - PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON

제조업체:

MFR 부분 #

범주:

데이터 시트:

설명:

PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON

2SA1669-TB-E 사양

제품 속성

속성 값

범주

트랜지스터 - 양극(BJT) - RF

제조업체

SANYO Semiconductor

시리즈

-

포장

Bulk

제품 상태

Active

트랜지스터 유형

PNP

전압 - 컬렉터 이미터 항복(최대)

15V

주파수 - 전환

3GHz

잡음 지수(dB Typ @ f)

2dB @ 900MHz

이득

5dB

전력 - 최대

250mW

DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce

15 @ 5mA, 10V

전류 - 컬렉터(Ic ) (최대)

50mA

작동 온도

-

실장 유형

Surface Mount

패키지/케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급업체 장치 패키지

3-CP

2SA1669-TB-E 목록: 9590

역사 가격

Active

5.0 / 5.0

Kęstutis Darius

Lithuania

2021-12-27 06:22

상품은 매우 만족하며 판매자는 대단히 감사합니다.

Justine Perrin

France

2021-06-10 07:32

89일 이내에 Recu, 스트립, 테스트

Lotte van der Veen

Netherlands

2021-11-23 06:50

모두 좋아, 고마워!

Hugo

Spain

2021-12-23 03:52

좋습니다. 시간 내에 접수

Felipe Soto

Spain

2021-02-06 23:42

완벽하게 받았습니다. Arduino Nano 플레이트의 결함이 있는 장치를 교체하기 위해 완벽하게 작동하는 해당 인쇄 회로 기판에 장치를 용접했습니다.

2SA1669-TB-E

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