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트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
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NE68519-T1-A
Last Time Buy - SAME AS 2SC5010 NPN SILICON AMPL
제조업체:
Renesas Electronics
MFR 부분 #
NE68519-T1-A
범주:
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
데이터 시트:
NE68519-T1-A
설명:
SAME AS 2SC5010 NPN SILICON AMPL
NE68519-T1-A 사양
제품 속성
속성 값
범주
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
제조업체
Renesas Electronics
시리즈
-
포장
Tape & Reel (TR)
제품 상태
Last Time Buy
트랜지스터 유형
NPN
전압 - 컬렉터 이미터 항복(최대)
6V
주파수 - 전환
12GHz
잡음 지수(dB Typ @ f)
1.5dB @ 2GHz
이득
8.5dB
전력 - 최대
125mW
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce
75 @ 10mA, 3V
전류 - 컬렉터(Ic ) (최대)
30mA
작동 온도
150 ℃ (TJ)
실장 유형
Surface Mount
패키지/케이스
SC-75, SOT-416
공급업체 장치 패키지
SC-75 (USM)
NE68519-T1-A 목록: 49490
역사 가격
$0.80000
5.0 / 5.0
Quentin Giraud
France
2021-07-09 02:45
잘 받았지만 아직 테스트되지 않았습니다.
Jukka Laakso
Finland
2021-12-03 00:22
나는 10pcs를 주문한다. 이제 3 개의 칩을 테스트하고 2 개는 ID 0x441였으며 STM32F407이 아니라 STM32F412입니다. 나는 매우 실망스럽다.
Kęstutis Darius
Lithuania
2021-12-27 06:22
상품은 매우 만족하며 판매자는 대단히 감사합니다.
Justine Perrin
France
2021-06-10 07:32
89일 이내에 Recu, 스트립, 테스트
Lotte van der Veen
Netherlands
2021-11-23 06:50
모두 좋아, 고마워!
NE68519-T1-A 관련 부분
NE68119-T1-A
Renesas Electronics
NE68119-T1-A
CEL
NE68133-T1B-A
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CEL
NE68819-T1-A
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CEL
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NE68033-T1B-A
CEL
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NE68030-T1-A
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NE68030-T1-A
CEL
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