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2SK1317-E

Active - MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P

제조업체:

Renesas Electronics

MFR 부분 #

2SK1317-E

범주:

트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

데이터 시트:

2SK1317-E

설명:

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P

2SK1317-E 사양

제품 속성

속성 값

범주

트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

제조업체

Renesas Electronics

시리즈

-

포장

Tube

제품 상태

Active

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압(Vdss)

1500 V

전류 - 연속 드레인(Id) @ 25℃

2.5A (Ta)

구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)

15V

Rds On(최대) @ Id, Vgs

12Ohm @ 2A, 15V

Vgs(th) (최대) @ Id

-

게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs

-

Vgs(최대)

?0V

입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds

990 pF @ 10 V

FET 기능

-

전력 손실(최대)

100W (Tc)

작동 온도

150 ℃ (TJ)

실장 유형

Through Hole

공급 장치 장치 패키지

TO-3P

패키지/케이스

TO-220-3 Full Pack

2SK1317-E 목록: 24425

역사 가격

$5.53000

5.0 / 5.0

Hugo

Spain

2021-12-23 03:52

좋습니다. 시간 내에 접수

Felipe Soto

Spain

2021-02-06 23:42

완벽하게 받았습니다. Arduino Nano 플레이트의 결함이 있는 장치를 교체하기 위해 완벽하게 작동하는 해당 인쇄 회로 기판에 장치를 용접했습니다.

Katharina Schneider

Germany

2021-08-04 23:28

배송까지 2주가 소요됩니다. 칩이 잘 작동합니다

Paul Roy

France

2021-11-04 06:37

내 사용에 해당합니다.

Laura Cristina

Spain

2021-07-11 09:01

테스트를 거쳐 예상대로 작동합니다.

2SK1317-E

2SK1317-E 사양

2SK1317-E 목록: 24425

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