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1N5811US

Active Icon Active - DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF
1N5811US
1N5811US
Microchip Technology
제조업체:
MFR 부분 #
데이터 시트:
설명:
DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF
 
3D Model Icon

1N5811US 사양

제품 속성
속성 값
제조업체
시리즈
-
포장
Bulk
제품 상태
Active
다이오드 유형
Standard
전압 - DC 역방향(Vr)(최대)
150 V
전류 - 정류된 평균(Io)
3A
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If
875 mV @ 4 A
속도
Fast Recovery = 200mA (Io)
역 복구 시간(trr)
30 ns
전류 - 역방향 누설 @ Vr
5 μA @ 50 V
정전 용량 @ Vr, F
60pF @ 10V, 1MHz
실장 유형
Surface Mount
패키지/케이스
SQ-MELF, B
공급업체 장치 패키지
B, SQ-MELF
작동 온도 - 접합
-65 ℃ ~ 175 ℃

1N5811US 목록: 46890

역사 가격
$7.04000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Hugo
Location Icon Spain
5 stars
2021-12-23 03:52
좋습니다. 시간 내에 접수
Author Icon
Felipe Soto
Location Icon Spain
5 stars
2021-02-06 23:42
완벽하게 받았습니다. Arduino Nano 플레이트의 결함이 있는 장치를 교체하기 위해 완벽하게 작동하는 해당 인쇄 회로 기판에 장치를 용접했습니다.
Author Icon
Katharina Schneider
Location Icon Germany
5 stars
2021-08-04 23:28
배송까지 2주가 소요됩니다. 칩이 잘 작동합니다
Author Icon
Paul Roy
Location Icon France
5 stars
2021-11-04 06:37
내 사용에 해당합니다.
Author Icon
Laura Cristina
Location Icon Spain
5 stars
2021-07-11 09:01
테스트를 거쳐 예상대로 작동합니다.

1N5811US 관련 부분

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1N5400
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