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IRF100P219AKMA1

Active - MOSFET N-CH 100V TO247AC

제조업체:

Infineon Technologies

MFR 부분 #

IRF100P219AKMA1

범주:

트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

데이터 시트:

IRF100P219AKMA1

설명:

MOSFET N-CH 100V TO247AC

IRF100P219AKMA1 사양

제품 속성

속성 값

범주

트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

StrongIRFET

포장

Tube

제품 상태

Active

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압(Vdss)

100 V

전류 - 연속 드레인(Id) @ 25℃

203A (Tc)

구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On(최대) @ Id, Vgs

1.7mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (최대) @ Id

3.8V @ 278μA

게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs

210 nC @ 10 V

Vgs(최대)

?0V

입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds

12020 pF @ 50 V

FET 기능

-

전력 손실(최대)

3.8W (Ta), 341W (Tc)

작동 온도

-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)

실장 유형

Through Hole

공급 장치 장치 패키지

PG-TO247-3

패키지/케이스

TO-247-3

IRF100P219AKMA1 목록: 4590

역사 가격

$8.28000

5.0 / 5.0

Kęstutis Darius

Lithuania

2021-12-27 06:22

상품은 매우 만족하며 판매자는 대단히 감사합니다.

Justine Perrin

France

2021-06-10 07:32

89일 이내에 Recu, 스트립, 테스트

Lotte van der Veen

Netherlands

2021-11-23 06:50

모두 좋아, 고마워!

Hugo

Spain

2021-12-23 03:52

좋습니다. 시간 내에 접수

Felipe Soto

Spain

2021-02-06 23:42

완벽하게 받았습니다. Arduino Nano 플레이트의 결함이 있는 장치를 교체하기 위해 완벽하게 작동하는 해당 인쇄 회로 기판에 장치를 용접했습니다.

IRF100P219AKMA1

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