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IPP020N06NAKSA1

Active - MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3

제조업체:

Infineon Technologies

MFR 부분 #

IPP020N06NAKSA1

범주:

트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

데이터 시트:

IPP020N06NAKSA1

설명:

MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3

IPP020N06NAKSA1 사양

제품 속성

속성 값

범주

트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS

포장

Tube

제품 상태

Active

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압(Vdss)

60 V

전류 - 연속 드레인(Id) @ 25℃

29A (Ta), 120A (Tc)

구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On(최대) @ Id, Vgs

2mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (최대) @ Id

2.8V @ 143μA

게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs

106 nC @ 10 V

Vgs(최대)

?0V

입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds

7800 pF @ 30 V

FET 기능

-

전력 손실(최대)

3W (Ta), 214W (Tc)

작동 온도

-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)

실장 유형

Through Hole

공급 장치 장치 패키지

PG-TO220-3

패키지/케이스

TO-220-3

IPP020N06NAKSA1 목록: 47080

역사 가격

$5.01000

5.0 / 5.0

Quentin Giraud

France

2021-07-09 02:45

잘 받았지만 아직 테스트되지 않았습니다.

Jukka Laakso

Finland

2021-12-03 00:22

나는 10pcs를 주문한다. 이제 3 개의 칩을 테스트하고 2 개는 ID 0x441였으며 STM32F407이 아니라 STM32F412입니다. 나는 매우 실망스럽다.

Kęstutis Darius

Lithuania

2021-12-27 06:22

상품은 매우 만족하며 판매자는 대단히 감사합니다.

Justine Perrin

France

2021-06-10 07:32

89일 이내에 Recu, 스트립, 테스트

Lotte van der Veen

Netherlands

2021-11-23 06:50

모두 좋아, 고마워!

IPP020N06NAKSA1

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