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트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
/ CEL NESG2107M33-A
NESG2107M33-A
Obsolete - RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD
제조업체:
CEL
MFR 부분 #
NESG2107M33-A
범주:
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
데이터 시트:
NESG2107M33-A
설명:
RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD
NESG2107M33-A 사양
제품 속성
속성 값
범주
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
제조업체
CEL
시리즈
-
포장
Bulk
제품 상태
Obsolete
트랜지스터 유형
NPN
전압 - 컬렉터 이미터 항복(최대)
5V
주파수 - 전환
10GHz
잡음 지수(dB Typ @ f)
0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz
이득
7dB ~ 10dB
전력 - 최대
130mW
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce
140 @ 5mA, 1V
전류 - 컬렉터(Ic ) (최대)
100mA
작동 온도
150 ℃ (TJ)
실장 유형
Surface Mount
패키지/케이스
3-SMD, Flat Lead
공급업체 장치 패키지
3-SuperMiniMold (M33)
NESG2107M33-A 목록: 8390
역사 가격
Obsolete
5.0 / 5.0
Kęstutis Darius
Lithuania
2021-12-27 06:22
상품은 매우 만족하며 판매자는 대단히 감사합니다.
Justine Perrin
France
2021-06-10 07:32
89일 이내에 Recu, 스트립, 테스트
Lotte van der Veen
Netherlands
2021-11-23 06:50
모두 좋아, 고마워!
Hugo
Spain
2021-12-23 03:52
좋습니다. 시간 내에 접수
Felipe Soto
Spain
2021-02-06 23:42
완벽하게 받았습니다. Arduino Nano 플레이트의 결함이 있는 장치를 교체하기 위해 완벽하게 작동하는 해당 인쇄 회로 기판에 장치를 용접했습니다.
NESG2107M33-A 관련 부분
NESG2101M05-A
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NESG2021M16-T3-A
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NESG2107M33-A
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NESG2107M33-T3-A
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