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트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
/ CEL NE85633-T1B
NE85633-T1B
Obsolete - RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
제조업체:
CEL
MFR 부분 #
NE85633-T1B
범주:
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
데이터 시트:
NE85633-T1B
설명:
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
NE85633-T1B 사양
제품 속성
속성 값
범주
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
제조업체
CEL
시리즈
-
포장
Tape & Reel (TR)
제품 상태
Obsolete
트랜지스터 유형
NPN
전압 - 컬렉터 이미터 항복(최대)
12V
주파수 - 전환
7GHz
잡음 지수(dB Typ @ f)
1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
이득
9dB
전력 - 최대
200mW
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce
50 @ 20mA, 10V
전류 - 컬렉터(Ic ) (최대)
100mA
작동 온도
150 ℃ (TJ)
실장 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급업체 장치 패키지
SOT-23-3
NE85633-T1B 목록: 21200
역사 가격
Obsolete
5.0 / 5.0
André Luiz Ferreira
Brazil
2021-06-01 15:12
훌륭한 판매자, 세심하고 빠른 주문 제품을 권장합니다.
Teresa Patricia
Spain
2021-04-22 12:04
좋은 판매자, 매우 빠르게 발송
Thomas-Dieter Weber
Germany
2021-06-01 09:35
아주 좋아 나는 단지 추천 할 수 있습니다
Maria Eduarda Ferreira
Brazil
2021-04-17 07:13
매우 만족하고 좋은 판매자입니다.
Tânia Maria
Brazil
2021-07-09 20:10
아직 오디션은 아니지만 매우 빠릅니다.
NE85633-T1B 관련 부분
NE85633-T1B-A
Renesas Electronics
NE85633-T1B-A
CEL
NE85618-A
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NE85633-T1B-R25-A
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