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트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
/ CEL NE851M13-T3-A
NE851M13-T3-A
Obsolete - TRANS NPN LOW PRO M13 SMD
제조업체:
CEL
MFR 부분 #
NE851M13-T3-A
범주:
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
데이터 시트:
NE851M13-T3-A
설명:
TRANS NPN LOW PRO M13 SMD
NE851M13-T3-A 사양
제품 속성
속성 값
범주
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
제조업체
CEL
시리즈
-
포장
Cut Tape (CT)
제품 상태
Obsolete
트랜지스터 유형
NPN
전압 - 컬렉터 이미터 항복(최대)
5.5V
주파수 - 전환
4.5GHz
잡음 지수(dB Typ @ f)
1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
이득
4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ
전력 - 최대
140mW
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce
100 @ 5mA, 1V
전류 - 컬렉터(Ic ) (최대)
100mA
작동 온도
-
실장 유형
Surface Mount
패키지/케이스
SOT-3
공급업체 장치 패키지
M13
NE851M13-T3-A 목록: 47000
역사 가격
Obsolete
5.0 / 5.0
Teresa Patricia
Spain
2021-04-22 12:04
좋은 판매자, 매우 빠르게 발송
Thomas-Dieter Weber
Germany
2021-06-01 09:35
아주 좋아 나는 단지 추천 할 수 있습니다
Maria Eduarda Ferreira
Brazil
2021-04-17 07:13
매우 만족하고 좋은 판매자입니다.
Tânia Maria
Brazil
2021-07-09 20:10
아직 오디션은 아니지만 매우 빠릅니다.
Léonie Caron
France
2021-08-02 07:24
포장에 표시된 느낌이 잘 읽히지 않습니다 (혼동 가능). 그것 없이, 순응하라! 판매자 감사합니다!
NE851M13-T3-A 관련 부분
NE85633-T1B-A
Renesas Electronics
NE85633-T1B-A
CEL
NE85618-A
CEL
NE85633-T1B-R25-A
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NE85633-T1B-R25-A
CEL
NE85618-T1-A
CEL
NE85639-T1-R27-A
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NE856M02-T1-AZ
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NE856M02-T1-AZ
CEL
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NE85639-T1-A
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